Vorrichtungen mit einem Ferroelektrischen Feldeffekttransistor-Speicherarray und Zugehöriges Verfahren

EP2997602 Art A1 23. März 2016

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP2997602
Aktenzeichen: EP14798136
Anmeldetag: 15. Mai 2014
Veröffentlichung: 23. März 2016
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/78G11C11/22H01L27/11597

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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