Verbessertes Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterschicht auf Gan-Basis
Anmelder: Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3001446
- Aktenzeichen
- EP15184352
- Anmeldetag
- 8. September 2015
- Veröffentlichung
- 1. Februar 2017
- Erteilung
- 1. Februar 2017
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/20H01L21/22H01L21/265H01L21/324
Abstract
L'invention concerne un procédé post-activation de dopants dans un semi-conducteur (1 b) à base de GaN dopé et activé au moyen de premières impuretés dopantes (3), comportant les étapes successives suivantes : ¢ prévoir ledit substrat (1) dopé et activé, ¢ éliminer une partie de la couche en matériau semi-conducteur (1 b), ¢ réaliser un premier traitement thermique sous une atmosphère contenant de l'azote et dépourvue d'hydrogène, ¢ implanter des deuxièmes impuretés dopantes (5) choisies parmi N, P, ou un mélange N/P, la dose de deuxièmes impuretés dopantes (5) implantée étant inférieure aux 2/3 de la dose utilisée pour l'implantation des premières impuretés dopantes (3) dans la couche en matériau semi-conducteur (1 b).
Anmelder
- Firma
- Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives
- Land
- 🇫🇷 Frankreich
Französisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Paris (Verwaltung) und Standorten wie Grenoble und Saclay. Forscht in Kernenergie, erneuerbaren Energien, Mikroelektronik, Werkstoffwissenschaften, Verteidigungstechnik und Informationstechnologien.
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Fachgebiete
1997 in Grenoble gegründet, übernahm 2002 die Praxis von Gérard Hecke. Begleitet Mandanten der Region bei Patenten, Marken, Designs, Urheberrechten, Verträgen, Streitigkeiten und Technologietransfers in Frankreich und im Ausland.