Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
EP3002779
Art B1
30. August 2017
Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3002779
- Aktenzeichen
- EP15183627
- Anmeldetag
- 3. September 2015
- Veröffentlichung
- 30. August 2017
- Erteilung
- 30. August 2017
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/28H01L29/792
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Renesas Electronics Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Renesas Electronics
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.
1.103 Patente in unserer Datenbank
Fachgebiete
Vertreten von
Moore, Graeme Patrick
London, Großbritannien
1.021
Patente gesamt
32
Fachgebiete
15
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Weitere Vertreter
-
Calderbank, Thomas Roger
NoneLondon