Verfahren zur Herstellung eines Sic-Einkristallsubstrats für Epitaktischen Sic-Halbleiterwafer und Sic-Einkristallsubstrat für Epitaktischen Sic-Halbleiterwafer
EP3007209
Art A1
13. April 2016
Anmelder: Showa Denko K.K., Nippon Steel & Sumitomo Metal Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3007209
- Aktenzeichen
- EP14808288
- Anmeldetag
- 26. Mai 2014
- Veröffentlichung
- 13. April 2016
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/306H01L21/205C30B25/18C30B25/20C30B29/36
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Showa Denko K.K.
Nippon Steel & Sumitomo Metal Corporation - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Showa Denko
Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio, seit 2023 als Resonac Holdings firmierend. Aktiv in Petrochemie, Elektronikmaterialien, Batteriematerialien sowie Halbleiterchemikalien.
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🇯🇵
Nippon Steel
Japanischer Stahlkonzern mit Sitz in Tokio, einer der größten Stahlhersteller der Welt. Aktiv in der Produktion von Stahl für Automobilbau, Bauwesen und Schiffbau sowie in Werkstoff- und Verfahrenstechnik.
5.379 Patente in unserer Datenbank