Verfahren zur Herstellung eines Integrierten Silicium- und Iii-N-Halbleiterbauelements

EP3008751 Art B1 6. Juli 2022

Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3008751
Aktenzeichen
EP14791900
Anmeldetag
5. Mai 2014
Veröffentlichung
6. Juli 2022
Erteilung
6. Juli 2022
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/8258H01L21/18
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Texas Instruments Incorporated
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Texas Instruments

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Vertreten von
Zeller, Andreas Texas Instruments Deutschland GmbH · Inhouse Freising, Deutschland
1.261
Patente gesamt
26
Fachgebiete
14
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Schwerpunkte
Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente Software & Datenverarbeitung Nachrichtentechnik & Telekommunikation Elektrische Energietechnik Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik
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