Halbleiterstruktur mit Gruppe Iii-V-Isolationszonen

EP3008752 Art B1 14. April 2021

Anmelder: Raytheon Company 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3008752
Aktenzeichen: EP14728394
Anmeldetag: 13. Mai 2014
Veröffentlichung: 14. April 2021
Erteilung: 14. April 2021
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/8258H01L27/12H01L21/762// H01L21/8234H01L27/085

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Raytheon Company
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Raytheon Company

US-amerikanisches Rüstungs- und Technologieunternehmen mit Sitz in Massachusetts, heute Teil von RTX Corporation. Entwickelt Verteidigungssysteme, Radartechnik, Flugabwehr, Sensorik und Luftfahrtelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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