Verfahren zur Herstellung eines Siliciumcarbid-Halbleiterbauelements

EP3010034 Art A1 20. April 2016

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3010034
Aktenzeichen
EP14811664
Anmeldetag
9. Mai 2014
Veröffentlichung
20. April 2016
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/20H01L21/205H01L21/336H01L29/12H01L29/78H01L29/16
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

11.193 Patente in unserer Datenbank

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen