Verfahren zur Herstellung einer Vielzahl von Strukturen

EP3011590 Art B1 29. Juli 2020

Anmelder: Soitec 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3011590
Aktenzeichen: EP14736890
Anmeldetag: 11. Juni 2014
Veröffentlichung: 29. Juli 2020
Erteilung: 29. Juli 2020
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/673H01L21/762

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Soitec
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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