Speicherzellen, Verfahren für den Betrieb und die Herstellung, Halbleiterbauelementstrukturen und Speichersysteme
EP3017450
Art B1
6. Februar 2019
Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3017450
- Aktenzeichen
- EP14820123
- Anmeldetag
- 27. Juni 2014
- Veröffentlichung
- 6. Februar 2019
- Erteilung
- 6. Februar 2019
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C11/16H01L43/08
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Micron Technology, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
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