Verfahren zur Bestimmung der Gewünschten Aufbringungsparameter für eine Dünnschicht aus Iii-V-Halbleitermaterial
EP3018697
Art B1
11. Mai 2022
Anmelder: Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3018697
- Aktenzeichen
- EP15193300
- Anmeldetag
- 5. November 2015
- Veröffentlichung
- 11. Mai 2022
- Erteilung
- 11. Mai 2022
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/20H01L21/02C30B25/16C30B29/08C30B29/42
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives
- Land
- 🇫🇷 Frankreich
🇫🇷
CEA (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives)
Französisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Paris (Verwaltung) und Standorten wie Grenoble und Saclay. Forscht in Kernenergie, erneuerbaren Energien, Mikroelektronik, Werkstoffwissenschaften, Verteidigungstechnik und Informationstechnologien.
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Kanzlei
Cabinet Hecké
Grenoble, Frankreich
1997 in Grenoble gegründet, übernahm 2002 die Praxis von Gérard Hecke. Begleitet Mandanten der Region bei Patenten, Marken, Designs, Urheberrechten, Verträgen, Streitigkeiten und Technologietransfers in Frankreich und im Ausland.
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