Vorrichtung und Verfahren, um die Prüfung eines Speicherarrays durch Anlegen einer selektiven Hemmung der Adreßeingangsleitungen zu beschleunigen.
Anmelder: EM Microelectronic-Marin SA 🇨🇭
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3021326
- Aktenzeichen
- EP14193480
- Anmeldetag
- 17. November 2014
- Veröffentlichung
- 1. Januar 2020
- Erteilung
- 1. Januar 2020
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C29/18G11C29/10G11C29/34// G11C29/12G11C29/26
Abstract
The electronic memory device comprises a non-volatile memory matrix organized in rows and columns, an address decoder with address input lines (addr_in_0, addr_in_1, ...) for selecting a row according to a particular address given on the address input lines. Additional address mask input lines (addr_msk_0, addr_msk_1, ...) are provided, each address mask input line being assigned to an address input line, wherein an address mask input line in activated state has the effect of ignoring the assigned address input line (addr_in_0, addr_in_1, ...). The method for testing said electronic memory device is performed with a significant lower number of read/write operations, since by ignoring a particular address line a plurality of write operations can be performed simultaneously.
Anmelder
- Firma
- EM Microelectronic-Marin SA
- Land
- 🇨🇭 Schweiz
EM Microelectronic-Marin ist ein Schweizer Halbleiterhersteller mit Sitz in Marin-Epagnier, der zum Swatch-Konzern gehört und energiesparende Mikrochips entwickelt. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Software und Datenverarbeitung sowie Elektronik-, Mess- und Nachrichtentechnik. Anmeldungen erstrecken sich durchgehend von 2000 bis heute.
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