Silicium-Carbid-Halbleiterbauelement und Verfahren zur Herstellung eines Silicium-Carbid-Halbleiterbauelements

EP3021353 Art A1 18. Mai 2016

Anmelder: Fuji Electric Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3021353
Aktenzeichen: EP14822620
Anmeldetag: 9. Juli 2014
Veröffentlichung: 18. Mai 2016
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/336H01L21/316H01L21/322H01L21/324H01L29/12H01L29/78H01L29/51H01L29/16

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fuji Electric Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fuji Electric

Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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