Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
EP3023796
Art B1
22. Mai 2019
Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3023796
- Aktenzeichen
- EP15194183
- Anmeldetag
- 11. November 2015
- Veröffentlichung
- 22. Mai 2019
- Erteilung
- 22. Mai 2019
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G01R1/04G01R1/073G01R1/067G01R31/26H01L21/56H01L21/66
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Renesas Electronics Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Renesas Electronics
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.
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Vertreten von
-
Betten & Resch
Betten & Resch · München