Verfahren zur Herstellung eines Einspritzungsverstärkten Bipolartransistors mit Isoliertem Gate

EP3026695 Art B1 11. September 2019

Anmelder: CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd., CSMC Technologies Fab1 Co., Ltd. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3026695
Aktenzeichen: EP14829488
Anmeldetag: 23. Juli 2014
Veröffentlichung: 11. September 2019
Erteilung: 11. September 2019
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/331H01L29/78H01L29/739

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd.
CSMC Technologies Fab1 Co., Ltd.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 CSMC Technologies Fab2

CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd. ist ein chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Wuxi, der als Foundry Leistungshalbleiter und analoge Bauelemente fertigt. Das Patentportfolio konzentriert sich fast vollständig auf Halbleiter und elektrische Bauelemente, ergänzt um Elektronik, Optik und Mess- und Prüftechnik. Anmeldungen erfolgen seit 2010 bis in die Gegenwart.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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