Halbleiterbauelement und Herstellungsverfahren dafür
EP3026706
Art A3
26. Oktober 2016
Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3026706
- Aktenzeichen
- EP15191735
- Anmeldetag
- 27. Oktober 2015
- Veröffentlichung
- 26. Oktober 2016
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L27/115H01L29/423H01L29/66H01L29/792
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Renesas Electronics Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Renesas Electronics
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.
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Vertreten von
Calderbank, Thomas Roger
London, Großbritannien
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Betten & Resch
Betten & Resch · München