Verbessertes Verfahren zur Erzeugung einer Dehnung in einem Transistorkanal Mithilfe von Opfer-Source- und Opfer-Drain-Schichten und einem Gate-Austausch
Anmelder: Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives, STMicroelectronics, Inc. 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3026711
- Aktenzeichen
- EP15196134
- Anmeldetag
- 24. November 2015
- Veröffentlichung
- 25. Dezember 2019
- Erteilung
- 25. Dezember 2019
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/336H01L29/165H01L29/78
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives
STMicroelectronics, Inc. - Land
- 🇫🇷 Frankreich
Die Commissariat à l'Énergie Atomique et aux Énergies Alternatives (CEA) ist eine französische staatliche Forschungseinrichtung mit Schwerpunkt Kernenergie, alternative Energien und Grundlagenforschung. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie Mess- und Prüftechnik, ergänzt durch Software, Energietechnik und Werkstoffkunde. Anmeldungen sind seit 2000 durchgehend belegt.
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Schweizer Gesellschaft des Halbleiterkonzerns STMicroelectronics, die Chips und Sensoren für Automobiltechnik, Industrie und Unterhaltungselektronik entwickelt.
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