P-Halbleiter mit Magnesium, Silicium, Zinn und Germanium sowie Verfahren zur Herstellung davon
EP3026718
Art B1
5. September 2018
Anmelder: National Institute for Materials Science, Mitsuba Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3026718
- Aktenzeichen
- EP14830133
- Anmeldetag
- 10. Juli 2014
- Veröffentlichung
- 5. September 2018
- Erteilung
- 5. September 2018
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L35/14B22F3/14C01B33/06C22C23/00H01L35/34C22C1/04C22C13/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- National Institute for Materials Science
Mitsuba Corporation - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
National Institute for Materials Science
Japanisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Tsukuba, das auf Materialwissenschaft und Werkstoffforschung spezialisiert ist.
828 Patente in unserer Datenbank
🇯🇵
Mitsuba Corporation
Japanischer Zulieferer elektrischer und elektronischer Fahrzeugkomponenten wie Motoren, Anlasser und Scheibenwischersysteme mit Sitz in Kiryu.
558 Patente in unserer Datenbank
Vertreten von
Bennett, Nicholas
London, Großbritannien
63
Patente gesamt
25
Fachgebiete
11
Anmelder-Länder
Schwerpunkte