Halbleiterbauelement mit einer Diode

EP3029737 Art A1 8. Juni 2016

Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3029737
Aktenzeichen: EP15195968
Anmeldetag: 24. November 2015
Veröffentlichung: 8. Juni 2016
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/861H01L29/868H01L29/08H01L21/329// H01L29/06H01L29/45

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Renesas Electronics Corporation
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Renesas Electronics

Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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