Verfahren, Stapel und Anordnung zur Trennung einer Struktur von einem Substrat durch Elektromagnetische Strahlung

EP3031074 Art B1 2. Januar 2019

Anmelder: Soitec 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3031074
Aktenzeichen: EP14758608
Anmeldetag: 5. August 2014
Veröffentlichung: 2. Januar 2019
Erteilung: 2. Januar 2019
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/268H01L31/0687H01L33/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Soitec
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 Soitec

Französischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Bernin, spezialisiert auf Silicon-on-Insulator (SOI) Substrate. Patente decken Halbleitermaterialien und Waferbondtechnik ab.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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