Pin-Diodenstruktur mit Oberflächenladungsunterdrückung

EP3031082 Art A1 15. Juni 2016

Anmelder: Raytheon Company 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3031082
Aktenzeichen: EP14755190
Anmeldetag: 24. Juli 2014
Veröffentlichung: 15. Juni 2016
Rechtsraum: EP
IPC: H01L27/144H01L27/146H01L31/105

Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma: Raytheon Company
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Raytheon Company

US-amerikanisches Rüstungs- und Technologieunternehmen mit Sitz in Massachusetts, heute Teil von RTX Corporation. Entwickelt Verteidigungssysteme, Radartechnik, Flugabwehr, Sensorik und Luftfahrtelektronik.

3.397 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

Vertreten von