Oxidhalbleiterschicht und Herstellungsverfahren Dafür, Oxidhalbleitervorläufer, Oxidhalbleiterschicht, Halbleiterelement und Elektronische Vorrichtung
EP3032576
Art A1
15. Juni 2016
Anmelder: Japan Advanced Institute of Science and Technology, Sumitomo Seika Chemicals Co., Ltd. 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3032576
- Aktenzeichen
- EP14835273
- Anmeldetag
- 4. Juli 2014
- Veröffentlichung
- 15. Juni 2016
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/368C01G15/00H01L21/336H01L29/786H01L29/66
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- Japan Advanced Institute of Science and Technology
Sumitomo Seika Chemicals Co., Ltd. - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Sumitomo Seika Chemicals Co., Ltd.
Japanisches Chemieunternehmen der Sumitomo-Gruppe mit Sitz in Hyogo, Hersteller von Spezialchemikalien und Polymeren, unter anderem superabsorbierenden Polymeren. Patente betreffen vor allem Polymer- und Materialtechnik.
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