Halbleiterbauelement, Verfahren zur Herstellung davon und Integrierte Halbleiterschaltung
EP3032587
Art B1
28. Oktober 2020
Anmelder: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, National Institute Of Advanced Industrial Science 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3032587
- Aktenzeichen
- EP14842700
- Anmeldetag
- 30. Juli 2014
- Veröffentlichung
- 28. Oktober 2020
- Erteilung
- 28. Oktober 2020
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/33H01L29/161H01L29/739H01L29/167// H01L29/47
Abstract
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Anmelder
- Firmen
- National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
National Institute Of Advanced Industrial Science - Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.
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