Siliciumcarbidhalbleitersubstrat, Verfahren zur Herstellung davon und Verfahren zur Herstellung eines Siliciumcarbidhalbleiterbauelements

EP3035371 Art A1 22. Juni 2016

Anmelder: Sumitomo Electric Industries, Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3035371
Aktenzeichen: EP14834133
Anmeldetag: 13. Juni 2014
Veröffentlichung: 22. Juni 2016
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/02H01L21/265H01L21/04H10D12/01H10D30/66H10D62/10H10D62/832

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Sumitomo Electric Industries, Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Sumitomo Electric Industries

Japanischer Technologiekonzern mit Sitz in Osaka, Teil der Sumitomo-Gruppe. Aktiv in Kabel- und Glasfasertechnologie, Halbleitern, Automobilkomponenten sowie Elektronik- und Werkstofftechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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