Tunnelfeldeffekttransistor, Verfahren zur Herstellung davon und Schaltelement

EP3035374 Art B1 5. Oktober 2022

Anmelder: Japan Science and Technology Agency 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3035374
Aktenzeichen: EP14836514
Anmeldetag: 12. August 2014
Veröffentlichung: 5. Oktober 2022
Erteilung: 5. Oktober 2022
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/336B82Y30/00B82Y40/00H01L21/28H01L29/06H01L29/417H01L29/66H01L29/78H01L29/739B82Y10/00H01L29/41H01L29/40H01L21/02H01L29/04

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Firma: Japan Science and Technology Agency
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Japan Science and Technology Agency

Japanische staatliche Förderorganisation für Wissenschaft und Technologie, die Forschungsprojekte finanziert und den Technologietransfer zwischen Universitäten und Industrie unterstützt. Die Behörde untersteht dem japanischen Bildungsministerium.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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