Herstellungsverfahren einer Verbesserten Feldeffektvorrichtung
Anmelder: Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives 🇫🇷
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3035386
- Aktenzeichen
- EP15200831
- Anmeldetag
- 17. Dezember 2015
- Veröffentlichung
- 27. April 2022
- Erteilung
- 27. April 2022
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L27/12H01L29/786H01L29/417H01L29/66
Abstract
An SOI substrate is covered by a semiconductor material pattern that includes a sharing pattern (8) of electrically insulating material. The sharing pattern (8) is coated with one or more semiconductor materials. The semiconductor material pattern is covered by a gate electrode (3) that faces the sharing pattern (8). The semiconductor material pattern and the gate pattern (3) are covered by a cover layer (13a, 13b). The substrate is removed to access the source/drain regions (5, 6). A second cover layer (18) is deposited and access holes are formed to access the source/drain regions (5, 6) and the gate electrode (3).
Anmelder
- Firma
- Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives
- Land
- 🇫🇷 Frankreich
Französisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Paris (Verwaltung) und Standorten wie Grenoble und Saclay. Forscht in Kernenergie, erneuerbaren Energien, Mikroelektronik, Werkstoffwissenschaften, Verteidigungstechnik und Informationstechnologien.
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Fachgebiete
1997 in Grenoble gegründet, übernahm 2002 die Praxis von Gérard Hecke. Begleitet Mandanten der Region bei Patenten, Marken, Designs, Urheberrechten, Verträgen, Streitigkeiten und Technologietransfers in Frankreich und im Ausland.