Verbesserte Silicidformierung durch Verbesserte Sige-Facettierung
EP3036769
Art B1
30. Juni 2021
Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3036769
- Aktenzeichen
- EP14838365
- Anmeldetag
- 22. August 2014
- Veröffentlichung
- 30. Juni 2021
- Erteilung
- 30. Juni 2021
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L27/088H01L21/336H01L21/28H01L29/165H01L21/8234H01L29/08H01L29/78
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Texas Instruments Incorporated
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Texas Instruments
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.
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