Verfahren zur Temporären Waferbindung und Dünnschichtwaferherstellungsverfahren

EP3038148 Art B1 2. August 2017

Anmelder: Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3038148
Aktenzeichen
EP15201534
Anmeldetag
21. Dezember 2015
Veröffentlichung
2. August 2017
Erteilung
2. August 2017
Rechtsraum
EP
IPC
H01L21/683C09J7/02B24B37/30
Offizieller Volltext

Abstract

A method for temporarily bonding a wafer to a support via a temporary bonding arrangement is provided. The arrangement is a composite temporary adhesive layer consisting of a non-silicone thermoplastic resin layer (A) which is releasably bonded to the wafer, a thermosetting siloxane polymer layer (B) laid thereon, and a thermosetting siloxane-modified polymer layer (C) releasably bonded to the support. The method comprises the steps of providing a wafer laminate having a thermosetting silicone composition layer (B') formed on the resin layer (A) which has been formed on the wafer, providing a support laminate having a siloxane-containing composition layer (C') formed on the support, joining and heating layer (B') and layer (C') in vacuum for bonding and curing the layers together.

Anmelder

Firma
Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Shin-Etsu Chemical

Japanisches Chemieunternehmen mit Sitz in Tokio. Shin-Etsu Chemical stellt Siliziumwafer für Halbleiter, Silikonprodukte, PVC und weitere Spezialchemikalien für Elektronik-, Bau- und Industrieanwendungen her.

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