Verfahren zur Verminderung des Wachstums von Unregelmässigkeiten und Selbstdotierungen Während eines Säulen-Iii-V Wachstums in Dielektrische Fenster

EP3039709 Art A1 6. Juli 2016

Anmelder: Raytheon Company 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3039709
Aktenzeichen: EP14739639
Anmeldetag: 23. Juni 2014
Veröffentlichung: 6. Juli 2016
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Raytheon Company
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Raytheon Company

US-amerikanisches Rüstungs- und Technologieunternehmen mit Sitz in Massachusetts, heute Teil von RTX Corporation. Entwickelt Verteidigungssysteme, Radartechnik, Flugabwehr, Sensorik und Luftfahrtelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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