Isotropes Ätzen Atomarer Schichten von Silizium und Germaniumoxiden
EP3041034
Art A1
6. Juli 2016
Anmelder: LAM Research Corporation 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3041034
- Aktenzeichen
- EP15200663
- Anmeldetag
- 17. Dezember 2015
- Veröffentlichung
- 6. Juli 2016
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/311
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- LAM Research Corporation
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Lam Research
US-amerikanischer Hersteller von Fertigungsanlagen für die Halbleiterindustrie mit Sitz in Fremont, Kalifornien, spezialisiert auf Ätz- und Beschichtungssysteme (Deposition) für die Chipproduktion.
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Vertreten von
Kontrus, Gerhard
Villach, Österreich
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