Halbleiterbauelement das einen vertikalen Bipolartransistor mit lateraler Driftregion enthält
EP3041052
Art A1
6. Juli 2016
Anmelder: NXP B.V., Ampleon Netherlands B.V. 🇳🇱
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3041052
- Aktenzeichen
- EP15150069
- Anmeldetag
- 5. Januar 2015
- Veröffentlichung
- 6. Juli 2016
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/40H01L29/732H01L29/737H01L29/06
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firmen
- NXP B.V.
Ampleon Netherlands B.V. - Land
- 🇳🇱 Niederlande
🇳🇱
NXP Semiconductors
Niederländischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Eindhoven. Entwickelt Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation, Sicherheit sowie industrielle Anwendungen.
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Fachgebiete
Weitere Vertreter
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Jacobs, Bart
Arnold & Siedsma · Den Haag