Verfahren zur Herstellung eines Siliciumcarbid-Halbleiterelements

EP3043376 Art B1 3. März 2021

Anmelder: Fuji Electric Co., Ltd., National Institute of Advanced Industrial Science and Technology 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3043376
Aktenzeichen: EP14842165
Anmeldetag: 8. August 2014
Veröffentlichung: 3. März 2021
Erteilung: 3. März 2021
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/28H01L21/26H01L21/336H01L29/06H01L29/16H01L29/78H01L21/04H01L21/324

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Fuji Electric Co., Ltd.
National Institute of Advanced Industrial Science and Technology
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fuji Electric

Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.

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🇯🇵 National Institute of Advanced Industrial Science and Technology

Staatliches japanisches Forschungsinstitut (AIST), das breit angelegte angewandte Forschung in Bereichen wie Materialwissenschaft, Energie, Elektronik und Biotechnologie betreibt.

3.785 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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