Herstellungsverfahren eines Bipolaren Transistors mit Isoliertem Gate

EP3043387 Art B1 4. Mai 2022

Anmelder: CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd., CSMC Technologies Fab1 Co., Ltd. 🇨🇳

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3043387
Aktenzeichen: EP14840868
Anmeldetag: 25. August 2014
Veröffentlichung: 4. Mai 2022
Erteilung: 4. Mai 2022
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/739H01L21/331H01L29/06H01L29/10

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd.
CSMC Technologies Fab1 Co., Ltd.
Land: 🇨🇳 China

🇨🇳 CSMC Technologies Fab2

CSMC Technologies Fab2 Co., Ltd. ist ein chinesischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Wuxi, der als Foundry Leistungshalbleiter und analoge Bauelemente fertigt. Das Patentportfolio konzentriert sich fast vollständig auf Halbleiter und elektrische Bauelemente, ergänzt um Elektronik, Optik und Mess- und Prüftechnik. Anmeldungen erfolgen seit 2010 bis in die Gegenwart.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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