Verfahren zur Herstellung einer Ferroelektrischen Speicherzelle und Zugehörige Halbleiterbauelementstrukturen

EP3044808 Art B1 23. Februar 2022

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3044808
Aktenzeichen: EP14844328
Anmeldetag: 27. August 2014
Veröffentlichung: 23. Februar 2022
Erteilung: 23. Februar 2022
Rechtsraum: EP
IPC: H01L27/11507

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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