Nitrid-Laserdiode mit Eingebauter Ungleichmässiger Legierungszusammensetzung in der N-Plattierschicht

EP3046192 Art B1 9. Januar 2019

Anmelder: Palo Alto Research Center, Incorporated 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3046192
Aktenzeichen: EP15196070
Anmeldetag: 24. November 2015
Veröffentlichung: 9. Januar 2019
Erteilung: 9. Januar 2019
Rechtsraum: EP
IPC: H01S5/32H01S5/323H01S5/30H01S5/343// H01S5/20

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Palo Alto Research Center, Incorporated
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Palo Alto Research Center

US-amerikanisches Forschungsinstitut in Palo Alto, bekannt als PARC, das für Xerox und externe Auftraggeber Grundlagen- und angewandte Forschung in Informatik, Elektronik und Materialwissenschaften betreibt.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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