Mos-Transistorstrukturen mit Langgestreckten Kontakten und Verfahren zu Ihrer Herstellung
EP3050083
Art B1
28. Oktober 2020
Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3050083
- Aktenzeichen
- EP14773600
- Anmeldetag
- 25. März 2014
- Veröffentlichung
- 28. Oktober 2020
- Erteilung
- 28. Oktober 2020
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/311H01L21/768H01L21/8234H01L21/8238H01L23/485H01L27/04H01L29/78// H01L21/285
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Texas Instruments Incorporated
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Texas Instruments
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.
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Fachgebiete
Weitere Vertreter
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