Flüchtige Speicherarchitektur in Nichtflüchtigen Speichervorrichtungen und Zugehörige Steuerungen

EP3053168 Art B1 30. November 2022

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3053168
Aktenzeichen
EP14849641
Anmeldetag
22. September 2014
Veröffentlichung
30. November 2022
Erteilung
30. November 2022
Rechtsraum
EP
IPC
G11C16/06G11C16/34
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma
Micron Technology, Inc.
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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