Flüchtige Speicherarchitektur in Nichtflüchtigen Speichervorrichtungen und Zugehörige Steuerungen
EP3053168
Art B1
30. November 2022
Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3053168
- Aktenzeichen
- EP14849641
- Anmeldetag
- 22. September 2014
- Veröffentlichung
- 30. November 2022
- Erteilung
- 30. November 2022
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- G11C16/06G11C16/34
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Micron Technology, Inc.
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Micron Technology
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.
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