Semivertikales und Semilaterales Mosfet mit einer Trench-Gate-Trench-Feldplatte
EP3053194
Art A1
10. August 2016
Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3053194
- Aktenzeichen
- EP14850568
- Anmeldetag
- 26. September 2014
- Veröffentlichung
- 10. August 2016
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/78H01L21/336H01L29/41
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Texas Instruments Incorporated
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Texas Instruments
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.
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