Siliziumnitrid-Substrat und Siliziumnitrid-Leiterplatte mit Diesem Substrat

EP3061739 Art B1 1. Februar 2023

Anmelder: Kabushiki Kaisha Toshiba, Toshiba Materials Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3061739
Aktenzeichen: EP14856390
Anmeldetag: 21. Oktober 2014
Veröffentlichung: 1. Februar 2023
Erteilung: 1. Februar 2023
Rechtsraum: EP
IPC: C04B35/584H01L23/15H05K1/03B32B18/00C01B21/068C04B35/587C04B35/593C04B35/626C04B35/632C04B35/634C04B35/638H01L23/498H05K1/02H01L23/373

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen: Kabushiki Kaisha Toshiba
Toshiba Materials Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Toshiba

Japanischer Konzern, der Elektronik, Halbleiter, Energie- und Infrastrukturtechnik sowie Industrieanlagen entwickelt und herstellt.

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🇯🇵 Toshiba Materials

Toshiba Materials ist eine japanische Tochtergesellschaft des Toshiba-Konzerns, spezialisiert auf keramische und magnetische Werkstoffe. Das Patentportfolio konzentriert sich auf Halbleiter und elektrische Bauelemente sowie anorganische Chemie und Werkstoffe, ergänzt um Metallurgie. Anmeldungen erstrecken sich über die Jahre 2004 bis 2024.

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Fachgebiete

Anorganische Chemie & Werkstoffe Elektronik & Schaltungstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente Werkzeug-, Fertigungs- & Drucktechnik

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