Ferroelektrische Multibit-Speichervorrichtung und Verfahren zur Herstellung davon

EP3063766 Art B1 15. August 2018

Anmelder: Micron Technology, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3063766
Aktenzeichen: EP14857361
Anmeldetag: 29. Oktober 2014
Veröffentlichung: 15. August 2018
Erteilung: 15. August 2018
Rechtsraum: EP
IPC: G11C11/22

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Micron Technology, Inc.
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Micron Technology

US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Boise, Idaho. Micron entwickelt und fertigt Speicherchips wie DRAM und NAND-Flash sowie Speicherlösungen für Computer, Mobilgeräte, Rechenzentren und Automobile.

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Fachgebiete

Akustik, Musik & Datenspeicherung

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