Halbleiternanodraht mit Gruppe-Iii-V-Verbindung, Feldeffekttransistor und Schaltelement
EP3065179
Art B1
4. Dezember 2019
Anmelder: Japan Science and Technology Agency 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3065179
- Aktenzeichen
- EP14858525
- Anmeldetag
- 29. Oktober 2014
- Veröffentlichung
- 4. Dezember 2019
- Erteilung
- 4. Dezember 2019
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/06B82Y30/00H01L21/205H01L21/336H01L29/04H01L29/66H01L29/78H01L29/786H01L21/02H01L29/16H01L29/20H01L29/41H01L29/775B82Y10/00B82Y40/00
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Japan Science and Technology Agency
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Japan Science and Technology Agency
Japanische staatliche Förderorganisation für Wissenschaft und Technologie, die Forschungsprojekte finanziert und den Technologietransfer zwischen Universitäten und Industrie unterstützt. Die Behörde untersteht dem japanischen Bildungsministerium.
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