Halbleiternanodraht mit Gruppe-Iii-V-Verbindung, Feldeffekttransistor und Schaltelement

EP3065179 Art B1 4. Dezember 2019

Anmelder: Japan Science and Technology Agency 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3065179
Aktenzeichen
EP14858525
Anmeldetag
29. Oktober 2014
Veröffentlichung
4. Dezember 2019
Erteilung
4. Dezember 2019
Rechtsraum
EP
IPC
H01L29/06B82Y30/00H01L21/205H01L21/336H01L29/04H01L29/66H01L29/78H01L29/786H01L21/02H01L29/16H01L29/20H01L29/41H01L29/775B82Y10/00B82Y40/00
Offizieller Volltext

Abstract

Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.

Anmelder

Firma
Japan Science and Technology Agency
Land
🇯🇵 Japan
🇯🇵 Japan Science and Technology Agency

Japanische staatliche Förderorganisation für Wissenschaft und Technologie, die Forschungsprojekte finanziert und den Technologietransfer zwischen Universitäten und Industrie unterstützt. Die Behörde untersteht dem japanischen Bildungsministerium.

2.090 Patente in unserer Datenbank

Noch Fragen?

Wir helfen Ihnen gerne weiter. Schreiben Sie uns einfach.

Kontakt aufnehmen