Verbessertes Herstellungsverfahren eines Transistors in einem Stapel von Übereinander Angeordneten Halbleiterschichten

EP3070744 Art B1 5. Juli 2017

Anmelder: Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives 🇫🇷

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3070744
Aktenzeichen: EP16160138
Anmeldetag: 14. März 2016
Veröffentlichung: 5. Juli 2017
Erteilung: 5. Juli 2017
Rechtsraum: EP
IPC: H01L29/775H01L29/786H01L29/66H01L21/324H01L29/423H01L29/06H01L21/02H01L21/266B82Y10/00

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives
Land: 🇫🇷 Frankreich

🇫🇷 CEA (Commissariat à l'énergie atomique et aux énergies alternatives)

Französisches staatliches Forschungsinstitut mit Sitz in Paris (Verwaltung) und Standorten wie Grenoble und Saclay. Forscht in Kernenergie, erneuerbaren Energien, Mikroelektronik, Werkstoffwissenschaften, Verteidigungstechnik und Informationstechnologien.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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