Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung
EP3073529
Art B1
29. Juli 2020
Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3073529
- Aktenzeichen
- EP16150746
- Anmeldetag
- 11. Januar 2016
- Veröffentlichung
- 29. Juli 2020
- Erteilung
- 29. Juli 2020
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/40H01L21/331H01L29/739H01L29/06H01L29/10
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Renesas Electronics Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Renesas Electronics
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.
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Fachgebiete
Vertreten von
Addiss, John William
London, Großbritannien
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Betten & Resch
Betten & Resch · München