Herstellungsverfahren für ein Siliciumcarbid-Halbleiterbauelement

EP3076422 Art B1 31. Oktober 2018

Anmelder: Fuji Electric Co., Ltd. 🇯🇵

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3076422
Aktenzeichen: EP15815488
Anmeldetag: 25. Mai 2015
Veröffentlichung: 31. Oktober 2018
Erteilung: 31. Oktober 2018
Rechtsraum: EP
IPC: H01L21/28H01L29/45// H01L29/16

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Fuji Electric Co., Ltd.
Land: 🇯🇵 Japan

🇯🇵 Fuji Electric

Japanischer Elektrotechnikkonzern mit Sitz in Tokio, tätig in den Bereichen Leistungshalbleiter, Energieerzeugungsanlagen und industrielle Automatisierungstechnik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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