Ein Halbleiterbauelement und ein Herstellungsverfahren dafür
EP3076434
Art A1
5. Oktober 2016
Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3076434
- Aktenzeichen
- EP16162992
- Anmeldetag
- 30. März 2016
- Veröffentlichung
- 5. Oktober 2016
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/66H01L27/115H01L29/423H01L21/28H01L29/792
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Renesas Electronics Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Renesas Electronics
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.
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Fachgebiete
Vertreten von
-
Glawe, Delfs, Moll
Glawe Delfs Moll · Hamburg