Verfahren zur Herstellung von Mikrostreifenübertragungsleitungen auf Dünnen Siliziumwafern

EP3080842 Art B1 12. August 2020

Anmelder: Raytheon Company 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.: EP3080842
Aktenzeichen: EP14799647
Anmeldetag: 5. November 2014
Veröffentlichung: 12. August 2020
Erteilung: 12. August 2020
Rechtsraum: EP
IPC: H01L23/66H01P3/08H01L21/683// H01L21/8252

Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firma: Raytheon Company
Land: 🇺🇸 USA

🇺🇸 Raytheon Company

US-amerikanisches Rüstungs- und Technologieunternehmen mit Sitz in Massachusetts, heute Teil von RTX Corporation. Entwickelt Verteidigungssysteme, Radartechnik, Flugabwehr, Sensorik und Luftfahrtelektronik.

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Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente

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