Vertikaler Mosfet mit Graben-Gate-Graben-Feldplatte
EP3080843
Art A1
19. Oktober 2016
Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3080843
- Aktenzeichen
- EP14850960
- Anmeldetag
- 26. September 2014
- Veröffentlichung
- 19. Oktober 2016
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L29/78H01L21/336H01L29/423
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Texas Instruments Incorporated
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Texas Instruments
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.
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