Verfahren zur Herstellung Ebenenübergreifender Dielektrischer Strukturen auf Halbleiterbauelementen

EP3082161 Art B1 13. Juni 2018

Anmelder: NXP USA, Inc., Freescale Semiconductor, Inc. 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3082161
Aktenzeichen
EP16165360
Anmeldetag
14. April 2016
Veröffentlichung
13. Juni 2018
Erteilung
13. Juni 2018
Rechtsraum
EP
IPC
H01L23/522H01L23/532H01L21/768
Offizieller Volltext

Abstract

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Anmelder

Firmen
NXP USA, Inc.
Freescale Semiconductor, Inc.
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 NXP USA

US-amerikanische Gesellschaft des Halbleiterkonzerns NXP, die Chips und Halbleiterlösungen für Automobiltechnik, Kommunikation und Industrieelektronik entwickelt.

1.545 Patente in unserer Datenbank

Fachgebiete

Halbleiter & Elektrische Bauelemente
Vertreten von
Lee, Candice Jane NXP SEMICONDUCTORS · Inhouse Redhill, Großbritannien
321
Patente gesamt
15
Fachgebiete
2
Anmelder-Länder
Schwerpunkte
Elektronik & Schaltungstechnik Nachrichtentechnik & Telekommunikation Mess-, Prüf- & Zeitmesstechnik Halbleiter & Elektrische Bauelemente Software & Datenverarbeitung Akustik, Musik & Datenspeicherung
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