Herstellungsverfahren für ein Halbleiterbauelement
EP3082163
Art B1
27. Juli 2022
Anmelder: Renesas Electronics Corporation 🇯🇵
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3082163
- Aktenzeichen
- EP16158178
- Anmeldetag
- 2. März 2016
- Veröffentlichung
- 27. Juli 2022
- Erteilung
- 27. Juli 2022
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L27/11573H01L29/423H01L29/792// H01L29/66
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Renesas Electronics Corporation
- Land
- 🇯🇵 Japan
🇯🇵
Renesas Electronics
Japanischer Halbleiterhersteller mit Sitz in Tokio, spezialisiert auf Mikrocontroller, analoge Bauelemente und Halbleiterlösungen unter anderem für die Automobil- und Industrieelektronik.
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Fachgebiete
Vertreten von
Addiss, John William
London, Großbritannien
518
Patente gesamt
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Fachgebiete
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Schwerpunkte
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Betten & Resch
Betten & Resch · München