Einkristallkornstrukturdichtungen und Herstellungsverfahren

EP3085902 Art B1 3. Juli 2019

Anmelder: United Technologies Corporation 🇺🇸

Details

Veröffentlichungs-Nr.
EP3085902
Aktenzeichen
EP16166894
Anmeldetag
25. April 2016
Veröffentlichung
3. Juli 2019
Erteilung
3. Juli 2019
Rechtsraum
EP
IPC
F01D11/00C30B29/52
Offizieller Volltext

Abstract

The present disclosure relates to advanced materials, particularly single crystal grain structures including the formation of single crystal grain structures. Single crystal grain structures offer improved mechanical properties when used with individual components. Improving mechanical properties is favorable for components that are used in applications with high temperature, pressure, and stress. In these applications, mechanical failure is extremely undesirable. Individual components, such as seals, can be designed with a single crystal grain structure in a preferred direction. By selecting a preferred direction, and orienting the single crystal grain structure accordingly, the single crystal grain structure can improve the component's mechanical properties. Single crystal grain structure seals and the method of forming the seals, therefore, offer various improvements to individual components, specifically when the components are designed for high temperature, pressure, and stress applications.

Anmelder

Firma
United Technologies Corporation
Land
🇺🇸 USA
🇺🇸 RTX Corporation

US-amerikanischer Luft- und Raumfahrt- sowie Verteidigungskonzern, entstanden aus Raytheon und United Technologies. Entwickelt und fertigt Triebwerke, Avionik, Radarsysteme, Raketen- und Verteidigungstechnik für zivile und militärische Kunden.

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