Hybrides Gate-Ersatzverfahren mit Hohem K am Anfang und am Ende
EP3087597
Art B1
7. Mai 2025
Anmelder: Texas Instruments Incorporated 🇺🇸
Details
- Veröffentlichungs-Nr.
- EP3087597
- Aktenzeichen
- EP14875116
- Anmeldetag
- 29. Dezember 2014
- Veröffentlichung
- 7. Mai 2025
- Erteilung
- 7. Mai 2025
- Rechtsraum
- EP
- IPC
- H01L21/8238H01L29/49H01L27/092H01L21/311H01L29/51// H01L21/28H01L29/66H01L21/02
Abstract
Für dieses Patent liegt uns kein Abstract vor.
Anmelder
- Firma
- Texas Instruments Incorporated
- Land
- 🇺🇸 USA
🇺🇸
Texas Instruments
US-amerikanisches Halbleiterunternehmen mit Sitz in Dallas (Texas). Entwickelt und fertigt analoge und eingebettete Halbleiterprodukte, Prozessoren sowie Schaltkreise für Industrie, Automobil- und Konsumelektronik.
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